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Anisotropic conductivity of doped graphene due to short-range non-symmetric scattering

机译:短程引入掺杂石墨烯的各向异性导电性   非对称散射

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摘要

The conductivity of doped graphene is considered taking into accountscattering by short-range nonsymmetric defects, when the longitudinal andtransverse components of conductivity tensor appear to be different. Thecalculations of the anisotropic conductivity tensor are based on thequasiclassical kinetic equation for the case of monopolar transport at lowtemperatures. The effective longitudinal conductivity and the transversevoltage, which are controlled by orientation of sample and by gate voltage(i.e. doping level), are presented.
机译:当电导率张量的纵向和横向分量看起来不同时,考虑到掺杂的石墨烯的电导率会考虑到短程非对称缺陷的散射。各向异性电导率张量的计算基于低温下单极输运情况下的准经典动力学方程。给出了有效的纵向电导率和横向电压,其由样品的取向和栅极电压(即掺杂水平)控制。

著录项

  • 作者

    Vasko, F. T.;

  • 作者单位
  • 年度 2010
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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